24小(xiǎo)时联系電(diàn)话:18217114652、13661815404

中文(wén)

您当前的位置:
首页>
電(diàn)子资讯>
技术专题>
单片机开发中模拟开关...

技术专题

单片机开发中模拟开关在特殊应用(yòng)中的优势


 随着对功能(néng)丰富的手机的需求日益增長(cháng),单片机开发中具有(yǒu)特殊应用(yòng)性能(néng)的模拟开关继续受到最终设计的青睐。这不仅会降低材料成本(BOM),而且有(yǒu)助于提高设计性能(néng)并满足上市时间要求。本文(wén)将指导单片机开发系统设计人员完成几个实际使用(yòng)案例,以减少爆音,检测充電(diàn)器


   对于单片机开发设计人员而言,由涌入電(diàn)流引起的冲击噪声仍然是艰巨的挑战,特别是当最终用(yòng)户启动音乐和通话功能(néng)之间的切换时。只要最终用(yòng)户打开音乐功能(néng),这种烦人的声音就会给人不愉快的體(tǐ)验。如图1所示,当音频放大器工作时,通过交流耦合電(diàn)容器的开/关浪涌電(diàn)流是冲击噪声的根源,音频共模電(diàn)压将急剧上升。

      当今市场上有(yǒu)多(duō)种解决方案可(kě)用(yòng)。其中之一是添加一个额外的放大器,以使音频输出具有(yǒu)“ 0V”偏移,从而很(hěn)大程度地减小(xiǎo)了紧接耳机之前的交流耦合電(diàn)容器的尺寸。因為(wèi)大多(duō)数耳机放大器都集成在基带处理(lǐ)器或電(diàn)源管理(lǐ)单元(PMU)中,所以添加此放大器不仅会增加材料成本,而且会增加功耗。

      1显示了另一种方法,该方法将独立的充電(diàn)路径添加到音频信号路径,以允许AC耦合電(diàn)容器在切换到耳机或主路径之前被充满電(diàn)。这可(kě)以由基带处理(lǐ)器的通用(yòng)I / O控制,允许音频放大器和开关先加電(diàn),而主通道开关现在关闭。音频输出的共模電(diàn)压将从0上升到VCC / 2。一段时间(参考10ms)后,耦合電(diàn)容器的两端均充電(diàn)至等電(diàn)位,然后打开主通道,根本没有(yǒu)浪涌電(diàn)流。因為(wèi)此时電(diàn)容器的两极之间的電(diàn)压差為(wèi)0V

      此开关非常适合通过单个USB连接器(D + / D针)与耳机和USB数据線(xiàn)共享的手机和MP3 / MP4播放器。低的总谐波失真(THD)对于音频通道非常重要。另外,由于开关放置在交流耦合電(diàn)容器之后,因此必须处理(lǐ)低THD时较大的反向信号摆幅。该开关的超低关断電(diàn)容器允许通过设备有(yǒu)線(xiàn)连接高速USB信号。较低的寄生電(diàn)容也是Hi-Speed一致性测试的关键USB 2.0标准。

 

 随着当前市场趋势转移到单个USB充電(diàn)器/数据端口,特殊应用(yòng)的USB开关已成為(wèi)具有(yǒu)充電(diàn)器检测功能(néng)的手机设计中的常用(yòng)配置。图2是此类交换机应用(yòng)程序的示例。

       基于两个主要原因,在此设计中需要低导通電(diàn)容开关。首先,由于基带处理(lǐ)器和高速当手机进入高速模式时,USB 控制器输出在连接器侧共享相同的D + / D-引脚USB 2.0模式(例如音乐下载或闪存功能(néng)),必须降低基带USB1.1 /2.0全速控制器的输出電(diàn)容。D + / D-線(xiàn)上的任何附加電(diàn)容都会损坏Hi-Speed的眼图USB信号。其次,在高速USB模式下,必须切断D + / D-線(xiàn)上的多(duō)余走線(xiàn),以有(yǒu)效避免480Mbps USB信号快速上升/下降沿引起的信号反射。

       由于单个USB端口用(yòng)于充電(diàn)器和数据功能(néng),因此充電(diàn)器检测功能(néng)在当前设计中已变得非常流行。传统方法是将D + / D-線(xiàn)馈入内部A / D转换器,以确定D + / D-線(xiàn)是否短路。如前所述,该方案的主要局限性在于基带处理(lǐ)器的GPIO端口的高输入電(diàn)容会在数据線(xiàn)上增加额外的電(diàn)容電(diàn)抗。这种新(xīn)的容抗将导致在高数据速率下有(yǒu)效触发信号。不良影响,属于USB 2.0一致性测试(例如,对于USB 2.0信号為(wèi)480 Mbps)。当然,该方法的另一个缺点是它也占用(yòng)了系统A / D转换器的资源

       在这些应用(yòng)中,需要具有(yǒu)超低内部電(diàn)容检测電(diàn)路的USB开关来实现充電(diàn)器隔离和全速USB控制器输出電(diàn)容器的隔离。同时,用(yòng)于确定将哪个USB通道用(yòng)作输出的USB通道选择引脚(图2中的S引脚)必须识别1.8 V3 V逻辑输入(注意:基带中的1.8 V3 V处理(lǐ)器的GPIO输出非常普遍)。

      传统的开关选择引脚接受高达2.0 V的输入Vih)電(diàn)平(TTL逻辑),当直接从電(diàn)池中获取开关電(diàn)源(VCC时,会导致严重的泄漏電(diàn)流。能(néng)够识别1.8 V输入逻辑電(diàn)平的能(néng)力也消除了对外部電(diàn)平转换设备的需求,从而使单片机开发设计人员能(néng)够进一步降低材料成本。例如,飞兆半导體(tǐ)的FSUSB45和其他(tā)IC具有(yǒu)超低导通電(diàn)容(7pF)和小(xiǎo)尺寸(1.4×1.8 mm),以及充電(diàn)器检测和1.8 V控制逻辑识别,可(kě)以很(hěn)好地满足USB数据路径开关设计的需求。

 

请输入搜索关键字

确定